根据市调机构集邦科技记忆体储存研究DRAMeXchange最新调查，时序进入9月下旬，正值各家厂商议定第四季合约价的关键时机，但受到位元产出持续增加，以及旺季需求并未明显增温的影响，价格走弱的态势更为明显，DRAM第四季合约价跌幅将由原先预估的季跌1～3％扩大至约5％。

DRAMeXchange资深协理吴雅婷指出，DRAM价格在过去9个季度期间大幅上扬，但从今年第三季起价格已经开始走弱，其中标准型PC DRAM与伺服器DRAM价格涨幅缩小至1～2％，行动式DRAM价格在旺季仅持平开出，绘图用DRAM更率先出现跌价。观察现货市场状况，价格从年初一路下滑，并在今年6月底开始正式低于合约价，而目前的现货价格已经低于合约价格约10％，显示后续合约价格仍将继续下跌。

从伺服器DRAM市场来观察，受惠于平台转换与资料中心建案挹注，伺服器需求比往年来的热络，但今年上半年因DRAM供给仍吃紧，导致终端纷纷以超额订单的方式维持稳定货源。第三季随着原厂持续提升伺服器DRAM的产出比重，供给达成率已转趋饱和。展望第四季，除了伺服器需求出现杂音外，目前由于通路价格持续开低，韩系原厂已率先降低第四季价格标的，预估季跌幅将达5％左右，高于原先预期的2％。

与伺服器DRAM产品属性较为相近的PC DRAM同样呈现供过于求，再加上英特尔新平台供货不足影响笔电出货状况，导致PC DRAM第四季价格跌幅也上看5％。利基型的消费型DRAM则受到中美贸易战带来的不确定性因素影响，需求已出现下修，价格也从9月开始下跌，第四季的跌幅更可能超过PC DRAM与伺服器记忆体。

占整体供货比重最大的行动式DRAM价格同样呈现下滑趋势。展望第四季，虽然在新款iPhone出货的拉升下，需求逐渐增温，但由于新款机种的定价高于市场预期，销售预估转为保守，因此难以反转DRAM供过于求的态势。预估分离式（discrete）单颗行动式DRAM第四季价格跌幅约在3％，eMCP解决方案则因NAND Flash价格下滑更为快速，整体跌幅可能扩大至8％。

无独有偶，IC Insights在早前发布的报告中称，预计2018年全球七大类芯片产品的市场规模增速为16%，较2017年25%的实际增速有所放缓。报告预计DRAM(动态随机存取存储器)平均售价(以及随后的市场增长)处于或接近其峰值，预计DRAM产品2018年的增速为39%，其2017年的实际增速高达77%。首当其冲的要数两类主流存储器产品。报告预计，DRAM(动态随机存取存储器)产品2018年的增速为39%，而其2017年的实际增速高达77%；NAND Flash(非易失存储器门类之一)产品2018年的预计增速为18%，其2017年的实际增速高达53%。

IC Insights认为，平均销售价格的上涨推动了DRAM的市场规模在今年前8个月持续上涨。但IC Insights预计，DRAM平均售价(以及随后的市场增长)处于或接近其峰值，原因是2019年开始，用于产能升级和扩张的资本支出将大幅上升。

而据DIGITIMES报道，为了稳定DRAM的价格，三星电子(Samsung Electronics)与SK海力士(SK Hynix)有可能弹性调整供给量配合市场需求，避免DRAM价格下跌。但除了国外分析师对市场景气看坏，韩国金融业界也预估两大韩厂会持续扩大DRAM供给量，呼吁厂商暂缓投资。

实际上三星电子放慢平泽工厂的DRAM产线扩产速度，考虑采取较保守的供给策略，平泽工厂的剩余投资最快在2018年底才会执行。SK海力士即将启用的M15新厂将以生产NAND Flash为主，DRAM工厂M16预定2019年才会动工。

报导分析，三星电子近来调降利润低的移动DRAM生产比重，提高利润高的服务器DRAM供给，DRAM价格缓慢下跌可能受此转换过程影响，并非完全是因为市场普遍认为的供给过剩所造成。

专家认为NAND Flash价格下跌虽是影响市场景气的因素，但价格上涨才是反常。厂商的制程、技术愈来愈进步，理应让生产成本与市场价格下跌。

韩国金融业界呼吁两大韩厂应减少扩产投资，避免价格过度价跌，认为三星电子应不会进行2018年下半DRAM与NAND Flash的新增产线投资，即便有投资也是小规模水平。SK海力士在第3季执行部分NAND Flash新增投资，DRAM则要到2018年底或2019年初才会有小幅度投资。