中国半导体器件型号命名方法

日期：2021-09-08 / 人气： / 来源：

[概要说明]中国半导体器件型号命名方法

半导体器件型号由五部分(场效应器件、半导体特殊器件、复合管、PIN型管、激光器件的型号命名只有第三、四、五部分)组成。五个部分的意义分别如下：

第一部分：用数字表示半导体器件有效电极数目。2：二极管;3：三极管。

第二部分：用汉语拼音字母表示半导体器件的材料和极性。

表示二极管时：A：N型锗材料;B：P型锗材料;C：N型硅材料;D：P型硅材料。

表示三极管时：A：PNP型锗材料;B：NPN型锗材料; C：PNP型硅材料;D：NPN型硅材料。

第三部分：用汉语拼音字母表示半导体器件的内型。

P：普通管;

V：微波管;

W：稳压管;

C：参量管;

Z：整流管;

L：整流堆;

S：隧道管;

N：阻尼管;

U：光电器件;

K：开关管;

X：低频小功率管(f <3MHz,Pc<1W);

G：高频小功率管(f >3MHz,Pc<1W);

D：低频大功率管(f<3MHz,Pc>1W);

A：高频大功率管(f >3MHz,Pc>1W);

T：半导体晶闸管(可控整流器);

Y：体效应器件;

B：雪崩管;

J：阶跃恢复管;

CS：场效应管;

BT：半导体特殊器件;

FH：复合管;

PIN：PIN型管;

JG：激光器件。

第四部分：用数字表示序号。

第五部分：用汉语拼音字母表示规格号。例如：3DG18表示NPN型硅材料高频三极管。