日本MyNaviNews报导，DRAM价格在2016年到达谷底后，现在又持续上涨，且因存储器厂商产能过多带来价格崩盘的教训，即使现在市场需求持续上涨，厂商设备投资却优先用在其它方面，因此市场估计，DRAM价格不仅2017年内只涨不跌，甚至2018全年仍会持续上涨。

目前主要的DRAM供应厂，三星电子(Samsung Electronics)、SK海力士(SK Hynix)与美光(Micron)，虽然有新厂建设计划，但估计最快也要2019年才能进行试产，大量生产可能会更晚。

可是现在市场的DRAM需求有增无减，智能型手机的性能提升带动DRAM需求成长，美国主要IT业者投资云端资料中心建设，同时也带来DRAM需求，使得DRAM的单位容量平均价格在2016年7月到2017年7月之间，增加1.1倍。

目前市场估计，2018年的全球DRAM需求量，将有超过20%的成长，但DRAM大厂因为没有新厂展开量产，透过现有生产线的升级与最佳化，DRAM晶圆产能估计仅增加5~7%，供货容量成长率很难到达20%，供不应求的情况下，可以预期DRAM涨势将持续到2018年全年。

相对于DRAM在2016年因供过于求，导致价格下跌，其它存储器产品，比方三星、SK海力士、美光也都有份的NAND Flash，各厂从2016年起便积极针对新的3D NAND Flash投资增产，但NAND Flash市场价格持续成长，东芝存储器(TMC)出售案的纠纷更让其它厂觉得有机可乘，积极投资增产。

另外，目前也是半导体新制程引进时机，如极紫外光(EUV)曝光设备、纳米压印(NanoImprint)，甚至是MRAM等其它新存储器技术接近实用阶段的时间点，如日本半导体设备厂东京威力科创(TEL)便与美国Spin Transfer Technologies合作，研发MRAM制造技术，供存储器厂发展次世代产品应用。

因此，DRAM设备投资，相对于其它种类的存储器技术及产品设备投资，便遭到DRAM大厂放缓与搁置：三星与SK海力士的新DRAM生产线，计划都是在2019年才开始生产，美光甚至暂无新厂计划，DRAM供不应求与价格上涨问题，恐非短期内能解决。

日本经济新闻(Nikkei)访问日本的PC零售商，商家表示，因手机与云端资料中心需求优先，PC业者的DRAM订单交货时间在2017年中便已明显拖慢，若DRAM短缺问题将持续到2018年，则市场缺货情况将更加严重，值得注意。